IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMA তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IS43TR16256AL-125KBL নির্দিষ্ট ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ও K4B4G1646E-BYMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $14.32 |
| মেমরি টাইপ | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| প্যাকেজ | 96-TWBGA (9x13mm) | FBGA-96 |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C ~ 95°C | 0°C to +95°C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| ডেটা রেট | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| সংগঠন | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |