IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMA موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IS43TR16256AL-125KBL بذریعہ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc اور K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IS43TR16256AL-125KBL K4B4G1646E-BYMA
برانڈ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $14.32
میموری ٹائپ SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
میموری سائز 4Gbit (256M x 16) —
انٹرفیس Parallel —
Clock Frequency 800 MHz 933 MHz
Access Time 20 ns —
سپلائی وولٹیج 1.35V (backward compatible to 1.5V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
پیکیج 96-TWBGA (9x13mm) FBGA-96
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C ~ 95°C 0°C to +95°C
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
ڈیٹا ریٹ 1600 Mbps 1866 Mbps/pin
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Number of Terminals 96 —
Density — 4 Gb
تنظیم — 256M x 16
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
RoHS — Compliant
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
پنز کی تعداد — 96

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں