IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IS43TR16256AL-125KBL מאת ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| מותג | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $14.32 |
| סוג זיכרון | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4Gbit (256M x 16) | — |
| ממשק | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| מתח אספקה | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| מארז | 96-TWBGA (9x13mm) | FBGA-96 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0°C ~ 95°C | 0°C to +95°C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| קצב נתונים | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| ארגון | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| מספר פינים | — | 96 |