IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IS43TR16256AL-125KBL tarafından ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marka | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $14,32 |
| Bellek Türü | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Arayüz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Paket | 96-TWBGA (9x13mm) | FBGA-96 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C ~ 95°C | 0°C to +95°C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| Veri Hızı | 1600 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organizasyon | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Pin Sayısı | — | 96 |