ISA150233C03LMDSXTMA1 vs IRF7341GTRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISA150233C03LMDSXTMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRF7341GTRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISA150233C03LMDSXTMA1 | IRF7341GTRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-channel + P-channel (1 N + 1 P) | Dual N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 55 V |
| N-channel Continuous Drain Current (Ta) | 7.6 A | — |
| N-channel Continuous Drain Current (Tc) | 10.2 A | — |
| P-channel Continuous Drain Current (Ta) | 6.6 A | — |
| P-channel Continuous Drain Current (Tc) | 8.8 A | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 1.4 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 2.5 W | — |
| প্যাকেজ | PG-DSO-8-920 (SO-8 with thermal pad) | 8-SO (SOIC-8) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Marking Code | 1523C03L | — |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | IR HEXFET Planar MOSFET |
| Channel Type | N-channel + P-channel enhancement mode | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +150 C (junction) | -55 C to +175 C |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 5.1 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 50 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) | — | 2.4 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typical] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |