ISA150233C03LMDSXTMA1 vs IRF7341GTRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISA150233C03LMDSXTMA1 بذریعہ Infineon اور IRF7341GTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISA150233C03LMDSXTMA1 | IRF7341GTRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-channel + P-channel (1 N + 1 P) | Dual N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 55 V |
| N-channel Continuous Drain Current (Ta) | 7.6 A | — |
| N-channel Continuous Drain Current (Tc) | 10.2 A | — |
| P-channel Continuous Drain Current (Ta) | 6.6 A | — |
| P-channel Continuous Drain Current (Tc) | 8.8 A | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 1.4 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 2.5 W | — |
| پیکیج | PG-DSO-8-920 (SO-8 with thermal pad) | 8-SO (SOIC-8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Marking Code | 1523C03L | — |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | IR HEXFET Planar MOSFET |
| Channel Type | N-channel + P-channel enhancement mode | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C (junction) | -55 C to +175 C |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 5.1 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 50 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) | — | 2.4 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typical] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |