ISC011N06LM5ATMA1 vs IAUZ40N06S5N050ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC011N06LM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUZ40N06S5N050ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ40N06S5N050ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC011N06LM5ATMA1 | IAUZ40N06S5N050ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | ISC011N06LM5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 (Trench) |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 288 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 188 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 1.15 mOhm | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSDSON-8-33 (3.3 x 3.3 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিন সংখ্যা | 8 | 8 |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | -55C to +175C |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on), typ) | — | 5 mΩ at VGS=10 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 71 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 1.7 V |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Thermal Resistance (RthJC, max) | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| Packaging | — | Tape & Reel |