ISC011N06LM5ATMA1 vs IAUZ40N06S5N050ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC011N06LM5ATMA1 tarafından Infineon ve IAUZ40N06S5N050ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 - 60V 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5N050ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC011N06LM5ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC011N06LM5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (Trench)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 288 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W —
RDS(on) max at VGS=10V 1.15 mOhm —
Paket PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-33 (3.3 x 3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 8
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55C to +175C
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Continuous Drain Current (ID, TC) — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance (RDS(on), typ) — 5 mΩ at VGS=10 V
Maximum Power Dissipation (PD) — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.7 V
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Thermal Resistance (RthJC, max) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Packaging — Tape & Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin