ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC800P06LMATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISZ056N03LF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC800P06LMATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISZ056N03LF2SATMA1 | ISC800P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | StrongIRFET 2 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 72 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 5.6 mOhm | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C (junction) |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TDSON-8 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 19.6 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 83 W |
| Technology | — | OptiMOS trench MOSFET |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| পিন সংখ্যা | — | 8 |
| Lead-Free | — | Yes (per Infineon product page) |
| MSL লেভেল | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Rated | — | Yes (per Infineon datasheet) |