ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC800P06LMATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ056N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC800P06LMATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ056N03LF2SATMA1 ISC800P06LMATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET 2 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55 C to +175 C (junction)
Paket PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8 (TDSON EP, 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC — 19.6 A
Power Dissipation (PD) at TC — 83 W
Technology — OptiMOS trench MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Pin Sayısı — 8
Lead-Free — Yes (per Infineon product page)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes (per Infineon datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin