ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC800P06LMATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ056N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC800P06LMATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISZ056N03LF2SATMA1 | ISC800P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | StrongIRFET 2 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 72 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 5.6 mOhm | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C (junction) |
| پیکیج | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TDSON-8 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 19.6 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 83 W |
| Technology | — | OptiMOS trench MOSFET |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| Lead-Free | — | Yes (per Infineon product page) |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Rated | — | Yes (per Infineon datasheet) |