K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCPB তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WB-BICH নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WB-BCPB নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $4.10 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8Gb | — |
| সংগঠন | 1G x 8 | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2V | 1.2 V |
| ডেটা রেট | 2400 Mbps (DDR4-2400) | — |
| প্যাকেজ | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to 85°C | 0C to +85C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| CAS লেটেন্সি | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| মেমরি সাইজ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Max Clock Frequency | — | 1066 MHz |
| Max Access Time | — | 0.18 ns |
| Max Standby Current | — | 0.016 mA |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Technology | — | CMOS, 8Gb B-die |
| Number of Terminals | — | 78 |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | — | DDR4 SDRAM parallel interface |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (0C to 85C) |