K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BICH द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WB-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $4.10 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8Gb | — |
| संगठन | 1G x 8 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2V | 1.2 V |
| डेटा दर | 2400 Mbps (DDR4-2400) | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 85°C | 0C to +85C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| CAS लेटेंसी | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Max Clock Frequency | — | 1066 MHz |
| Max Access Time | — | 0.18 ns |
| Max Standby Current | — | 0.016 mA |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Technology | — | CMOS, 8Gb B-die |
| Number of Terminals | — | 78 |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | — | DDR4 SDRAM parallel interface |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (0C to 85C) |