K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCPB Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BICH tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BCPB tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $4,10 |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8Gb | — |
| Organizasyon | 1G x 8 | — |
| Besleme Gerilimi | 1.2V | 1.2 V |
| Veri Hızı | 2400 Mbps (DDR4-2400) | — |
| Paket | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 85°C | 0C to +85C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| CAS Gecikme | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| Bellek Boyutu | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Max Clock Frequency | — | 1066 MHz |
| Max Access Time | — | 0.18 ns |
| Max Standby Current | — | 0.016 mA |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Technology | — | CMOS, 8Gb B-die |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Arayüz | — | DDR4 SDRAM parallel interface |
| RoHS Durumu | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (0C to 85C) |