K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCPB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BICH بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $4.10 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8Gb | — |
| تنظیم | 1G x 8 | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2V | 1.2 V |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps (DDR4-2400) | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 85°C | 0C to +85C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| CAS لیٹنسی | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| میموری سائز | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Max Clock Frequency | — | 1066 MHz |
| Max Access Time | — | 0.18 ns |
| Max Standby Current | — | 0.016 mA |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Technology | — | CMOS, 8Gb B-die |
| Number of Terminals | — | 78 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| انٹرفیس | — | DDR4 SDRAM parallel interface |
| RoHS اسٹیٹس | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (0C to 85C) |