K4A8G085WC-BIWE vs H5AN8G6NDJR-XNC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WC-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও H5AN8G6NDJR-XNC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G085WC-BIWE | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $55.68 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| সংগঠন | 1G x 8 | — |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -40°C to +95°C | — |
| প্যাকেজ | 78-FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| ইন্টারফেস | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS লেটেন্সি | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| মেমরি সাইজ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |