K4A8G085WC-BIWE vs H5AN8G6NDJR-XNC Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WC-BIWE tarafından Samsung Electronics ve H5AN8G6NDJR-XNC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WC-BIWE | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $55,68 |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organizasyon | 1G x 8 | — |
| Veri Hızı | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40°C to +95°C | — |
| Paket | 78-FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| Arayüz | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS Gecikme | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Bellek Boyutu | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| Klorürsüz | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |