K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCWE তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G165WB-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCWE
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
স্টক স্ট্যাটাস — In Stock
ইউনিট মূল্য (USD) — $6.25
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
মেমরি সাইজ 8 Gb 8 Gb
Memory Organization 512M x 16 512M x 16
ইন্টারফেস Parallel (DDR4 SDRAM bus) Parallel
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
ডেটা রেট 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) 3200 Mbps/pin
Technology CMOS, B-die 8Gb die DDR4 SDRAM B-die
প্যাকেজ 96-ball FBGA (PBGA96) 96FBGA
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +95C 0C to +85C
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC / CA Parity CRC function supported —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) —
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.2 V
Access Time — 19 ns
Memory Format — DRAM (volatile)
Prefetch — 8n
Refresh — Self-refresh supported
Termination — On-die termination (ODT)
RoHS স্ট্যাটাস — [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট