K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCWE Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WB-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A8G165WB-BCWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCWE
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $6,25
Bellek Türü DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gb 8 Gb
Memory Organization 512M x 16 512M x 16
Arayüz Parallel (DDR4 SDRAM bus) Parallel
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Veri Hızı 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) 3200 Mbps/pin
Technology CMOS, B-die 8Gb die DDR4 SDRAM B-die
Paket 96-ball FBGA (PBGA96) 96FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -40C to +95C 0C to +85C
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC / CA Parity CRC function supported —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) —
Besleme Gerilimi — 1.2 V
Access Time — 19 ns
Memory Format — DRAM (volatile)
Prefetch — 8n
Refresh — Self-refresh supported
Termination — On-die termination (ODT)
RoHS Durumu — [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin