K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCWE
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $6.25
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gb 8 Gb
Memory Organization 512M x 16 512M x 16
انٹرفیس Parallel (DDR4 SDRAM bus) Parallel
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) 3200 Mbps/pin
Technology CMOS, B-die 8Gb die DDR4 SDRAM B-die
پیکیج 96-ball FBGA (PBGA96) 96FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +95C 0C to +85C
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC / CA Parity CRC function supported —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) —
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Access Time — 19 ns
Memory Format — DRAM (volatile)
Prefetch — 8n
Refresh — Self-refresh supported
Termination — On-die termination (ODT)
RoHS اسٹیٹس — [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
MSL لیول — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں