K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BCRC توسط Samsung Electronics و K4A8G165WB-BCWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $6.25 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| رابط | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| نرخ داده | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 3200 Mbps/pin |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | DDR4 SDRAM B-die |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -40C to +95C | 0C to +85C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Access Time | — | 19 ns |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| وضعیت RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |