K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WC-BCPB তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G165WC-BCPB নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4A8G165WC-BCPB ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | DRAM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| সংগঠন | 512M x 16 | — |
| ডেটা রেট | 2666 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | 0C to +95C |
| প্যাকেজ | 96FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Die Generation | B-die | C-die (1Y nm class) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | DDR4 (parallel, double data rate) | DDR4 (16-bit data bus) |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | Compliant |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| মেমরি সাইজ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| বৈশিষ্ট্য | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |