K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WC-BCPB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WC-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WC-BCPB
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Density 8 Gb —
تنظیم 512M x 16 —
ڈیٹا ریٹ 2666 Mbps DDR4-2133 (2133 Mbps/pin)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C 0C to +95C
پیکیج 96FBGA 96-ball FBGA (TFBGA)
Die Generation B-die C-die (1Y nm class)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (BGA) Surface Mount
انٹرفیس DDR4 (parallel, double data rate) DDR4 (16-bit data bus)
Data Mask Supported (DM per x16 lane) —
ZQ Calibration Supported —
Dynamic On-Die Termination Supported —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: Refresh Rate] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) Compliant
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL Level] —
میموری سائز — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
خصوصیات — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Termination — On-die termination (ODT), dynamic
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں