K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WC-BCTD তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WC-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics ও K4A8G165WC-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCTD ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCTD
ব্র্যান্ড Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি EEPROM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
স্টক স্ট্যাটাস In Stock —
ইউনিট মূল্য (USD) $19.69 —
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
মেমরি সাইজ 8 Gbit —
সংগঠন 512M x 16 512M x16
ডেটা রেট 2400 Mbps 2666 Mbps (DDR4-2666)
Clock Frequency 1333 MHz 1.333 GHz
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
ইন্টারফেস Parallel, 16-bit DDR —
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
অপারেটিং তাপমাত্রা 0 C to +95 C 0C to +95C
প্যাকেজ 96-FBGA (TFBGA) 96FBGA
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
বৈশিষ্ট্য Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die C-die (1Y nm-class process)
Memory Format DRAM —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Density — 8 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
CRC Function — Yes (write CRC)
ZQ Calibration — Yes
On-Die Termination — Dynamic ODT
Data Mask — Yes (x16 DM)
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট