K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WC-BCTD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCRC بذریعہ Samsung Electro-Mechanics اور K4A8G165WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCTD ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCTD
برانڈ Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
زمرہ EEPROM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $19.69 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit —
تنظیم 512M x 16 512M x16
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps 2666 Mbps (DDR4-2666)
Clock Frequency 1333 MHz 1.333 GHz
سپلائی وولٹیج 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
انٹرفیس Parallel, 16-bit DDR —
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0 C to +95 C 0C to +95C
پیکیج 96-FBGA (TFBGA) 96FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
خصوصیات Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die C-die (1Y nm-class process)
Memory Format DRAM —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Density — 8 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
CRC Function — Yes (write CRC)
ZQ Calibration — Yes
On-Die Termination — Dynamic ODT
Data Mask — Yes (x16 DM)
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں