K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WC-BCTD So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G165WC-BCRC bằng Samsung Electro-Mechanics và K4A8G165WC-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCTD ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCTD
Thương hiệu Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Danh mục EEPROM Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho In Stock —
Giá đơn vị (USD) $19,69 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gbit —
Tổ chức 512M x 16 512M x16
Tốc độ dữ liệu 2400 Mbps 2666 Mbps (DDR4-2666)
Clock Frequency 1333 MHz 1.333 GHz
Điện áp cung cấp 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Giao diện Parallel, 16-bit DDR —
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
Nhiệt độ hoạt động 0 C to +95 C 0C to +95C
Hộp 96-FBGA (TFBGA) 96FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Tính năng Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die C-die (1Y nm-class process)
Memory Format DRAM —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Density — 8 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
CRC Function — Yes (write CRC)
ZQ Calibration — Yes
On-Die Termination — Dynamic ODT
Data Mask — Yes (x16 DM)
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá