K4B4G1646D-BHMA vs MT41K256M16HA-125 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646D-BHMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT41K256M16HA-125 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4B4G1646D-BHMA MT41K256M16HA-125
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $6.36
মেমরি টাইপ DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
সংগঠন 256M x 16 —
ডেটা রেট 1866 Mbps —
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V
প্যাকেজ 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
অপারেটিং তাপমাত্রা -40°C to +95°C (TC) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS লেটেন্সি 13 (at 1866 Mbps) 11
Burst Length 8 and 4 —
Number of Terminals 96 —
Lead-Free Yes Yes
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
RoHS Compliant Yes —
Die Version D-die —
Refresh Mode Auto and Self Refresh —
মেমরি সাইজ — 4Gbit (256M x 16)
ডেটা বাস প্রস্থ — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
পিনের সংখ্যা — 96
মাউন্টিং টাইপ — Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট