K4B4G1646D-BHMA vs MT41K256M16HA-125 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4B4G1646D-BHMA disebabkan oleh Samsung Electronics dan MT41K256M16HA-125 disebabkan oleh Micron Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr K4B4G1646D-BHMA MT41K256M16HA-125
Merek Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $6.36
Jenis Ingatan DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
Organisasi 256M x 16 —
Kadar Data 1866 Mbps —
Tegangan Pemberi Arus 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V
Kemasan 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Suhu Operasi -40°C to +95°C (TC) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latensi CAS 13 (at 1866 Mbps) 11
Burst Length 8 and 4 —
Number of Terminals 96 —
Lead-Free Yes Yes
Boson Bebas Yes —
RoHS Compliant Yes —
Die Version D-die —
Refresh Mode Auto and Self Refresh —
Saiz Ingatan — 4Gbit (256M x 16)
Lebar Bus Data — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Bilangan Pin — 96
Jenis Pemasangan — Surface Mount
Status RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga