K4B4G1646D-BHMA vs MT41K256M16HA-125 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BHMA tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16HA-125 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646D-BHMA MT41K256M16HA-125
Marka Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $6,36
Bellek Türü DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
Organizasyon 256M x 16 —
Veri Hızı 1866 Mbps —
Besleme Gerilimi 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V
Paket 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
İşletim Sıcaklığı -40°C to +95°C (TC) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS Gecikme 13 (at 1866 Mbps) 11
Burst Length 8 and 4 —
Number of Terminals 96 —
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes —
RoHS Compliant Yes —
Die Version D-die —
Refresh Mode Auto and Self Refresh —
Bellek Boyutu — 4Gbit (256M x 16)
Veri Bus Genişliği — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Pin Sayısı — 96
Montaj Türü — Surface Mount
RoHS Durumu — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin