K4B4G1646D-BHMA vs MT41K256M16HA-125 So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BHMA bằng Samsung Electronics và MT41K256M16HA-125 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646D-BHMA MT41K256M16HA-125
Thương hiệu Samsung Electronics Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $6,36
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
Tổ chức 256M x 16 —
Tốc độ dữ liệu 1866 Mbps —
Điện áp cung cấp 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V
Hộp 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C (TC) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latency CAS 13 (at 1866 Mbps) 11
Burst Length 8 and 4 —
Number of Terminals 96 —
Lead-Free Yes Yes
Đông trùng haogen Yes —
RoHS Compliant Yes —
Die Version D-die —
Refresh Mode Auto and Self Refresh —
Kích thước bộ nhớ — 4Gbit (256M x 16)
Bề rộng đường dữ liệu — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Số lượng chân — 96
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Trạng thái RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá