K4B4G1646D-BHMA vs MT41K256M16HA-125 Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil K4B4G1646D-BHMA dari Samsung Electronics dan MT41K256M16HA-125 dari Micron Technology. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum K4B4G1646D-BHMA MT41K256M16HA-125
Merek Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $6,36
Tipe Memori DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
Organisasi 256M x 16 —
Laju Data 1866 Mbps —
Tegangan Pemuat 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V
Paket 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Suhu Kerja -40°C to +95°C (TC) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latensi CAS 13 (at 1866 Mbps) 11
Burst Length 8 and 4 —
Number of Terminals 96 —
Lead-Free Yes Yes
Bebas Halogen Yes —
RoHS Compliant Yes —
Die Version D-die —
Refresh Mode Auto and Self Refresh —
Ukuran Memori — 4Gbit (256M x 16)
Lebar Bus Data — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Jumlah Pin — 96
Tipe Mounting — Surface Mount
Status RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon