K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63CFR-H9I তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646E-BYMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও H5TC4G63CFR-H9I নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63CFR-H9I |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $14.32 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| ডেটা রেট | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| প্যাকেজ | FBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (11, 12, 13) |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 and 4 |
| পিনের সংখ্যা | 96 | — |
| I/O Voltage | — | 1.35 V |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Memory Width | — | 16 bits |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh, Self-refresh |