K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63CFR-H9I So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics và H5TC4G63CFR-H9I bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Hoạt động
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646E-BYMA H5TC4G63CFR-H9I
Thương hiệu Samsung Electronics SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) $14,32 —
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Điện áp cung cấp 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.35 V
Clock Frequency 933 MHz —
Tốc độ dữ liệu 1866 Mbps/pin 1866 Mbps (PC3-14900)
Nhiệt độ hoạt động 0°C to +95°C —
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
Hộp FBGA-96 96-ball TFBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
RoHS Compliant —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] Programmable (11, 12, 13)
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] 8 and 4
Số lượng chân 96 —
I/O Voltage — 1.35 V
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Number of Terminals — 96
Memory Width — 16 bits
Lead-Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes
RoHS Compliant — Yes
On-Die Termination — Yes
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá