K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63CFR-H9I موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics اور H5TC4G63CFR-H9I بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646E-BYMA H5TC4G63CFR-H9I
برانڈ Samsung Electronics SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $14.32 —
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
تنظیم 256M x 16 256M x 16
سپلائی وولٹیج 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.35 V
Clock Frequency 933 MHz —
ڈیٹا ریٹ 1866 Mbps/pin 1866 Mbps (PC3-14900)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to +95°C —
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
پیکیج FBGA-96 96-ball TFBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
RoHS Compliant —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] Programmable (11, 12, 13)
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] 8 and 4
پنز کی تعداد 96 —
I/O Voltage — 1.35 V
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Number of Terminals — 96
Memory Width — 16 bits
Lead-Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes
RoHS Compliant — Yes
On-Die Termination — Yes
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں