K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-BF70 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K6X0808C1D-BF55 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K6X0808C1D-BF70 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70 K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 ✗ জীবনকালের সমাপ্তি

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF70
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি DRAM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় উৎপাদন শেষ
মেমরি টাইপ Asynchronous SRAM Asynchronous SRAM (CMOS)
মেমরি সাইজ 256 Kbit —
সংগঠন 32K x 8 32K x 8
Access Time 55 ns 70 ns
ইন্টারফেস Parallel Parallel
সাপ্লাই ভোল্টেজ 5 V [DATA_NEEDED: Supply Voltage]
Technology CMOS CMOS
প্যাকেজ 28-SOP 28-SOP (PDSO28)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +70C (commercial grade, BF suffix)
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Memory Format SRAM —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Refresh Not required (static memory) —
RoHS স্ট্যাটাস unknown [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Density — 256 Kbit
Operating Current (active) — [DATA_NEEDED: Operating Current]
Standby Current (CMOS) — [DATA_NEEDED: Standby Current]
Data Retention — Volatile (battery-backup capable with CE control)
I/O Type — Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7)
Address Bus — A0-A14 (15 address lines)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট