K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-BF70 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6X0808C1D-BF55 द्वारा Samsung Electronics और K6X0808C1D-BF70 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ सक्रियSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung
K6X0808C1D-BF70 ✗ जीवन की समाप्तिविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K6X0808C1D-BF55 | K6X0808C1D-BF70 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | उत्पादन बंद |
| मेमोरी प्रकार | Asynchronous SRAM | Asynchronous SRAM (CMOS) |
| मेमोरी आकार | 256 Kbit | — |
| संगठन | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| सप्लाई वोल्टेज | 5 V | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] |
| Technology | CMOS | CMOS |
| पैकेज | 28-SOP | 28-SOP (PDSO28) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Memory Format | SRAM | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| RoHS स्थिति | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 256 Kbit |
| Operating Current (active) | — | [DATA_NEEDED: Operating Current] |
| Standby Current (CMOS) | — | [DATA_NEEDED: Standby Current] |
| Data Retention | — | Volatile (battery-backup capable with CE control) |
| I/O Type | — | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) |
| Address Bus | — | A0-A14 (15 address lines) |