K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-BF70 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X0808C1D-BF55 بذریعہ Samsung Electronics اور K6X0808C1D-BF70 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 ✓ فعال
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70 K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 ✗ اختتامِ زندگی

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF70
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال اختتامِ زندگی
میموری ٹائپ Asynchronous SRAM Asynchronous SRAM (CMOS)
میموری سائز 256 Kbit —
تنظیم 32K x 8 32K x 8
Access Time 55 ns 70 ns
انٹرفیس Parallel Parallel
سپلائی وولٹیج 5 V [DATA_NEEDED: Supply Voltage]
Technology CMOS CMOS
پیکیج 28-SOP 28-SOP (PDSO28)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +70C (commercial grade, BF suffix)
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Memory Format SRAM —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Refresh Not required (static memory) —
RoHS اسٹیٹس unknown [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Density — 256 Kbit
Operating Current (active) — [DATA_NEEDED: Operating Current]
Standby Current (CMOS) — [DATA_NEEDED: Standby Current]
Data Retention — Volatile (battery-backup capable with CE control)
I/O Type — Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7)
Address Bus — A0-A14 (15 address lines)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں