M29W160FB70N3E vs M29W160EB70N3E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W160FB70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W160EB70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29W160FB70N3E M29W160EB70N3E
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ FLASH - NOR FLASH - NOR
মেমরি সাইজ 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) 16 Mbit (2M x8, 1M x16)
Access Time 70 ns 70 ns
ইন্টারফেস Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Programming Voltage Single supply (no separate VPP required) —
Bus Configuration x8 / x16 selectable (BYTE# pin) —
Architecture Boot block —
প্যাকেজ / কেস 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tray
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Status Output Data polling / toggle bit —
Block Protection Yes (boot block protection) —
সংগঠন — 2M x8 / 1M x16
Programming Time — 10 us (typical)
Cell Type — SLC NOR
Speed Grade — -70
FBGA Code — N/A (TSOP package)
RoHS স্ট্যাটাস — [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট