MRF18030BLSR3 vs MRF18060BLSR3 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRF18030BLSR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRF18060BLSR3 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
NXP Semiconductors
MRF18030BLSR3 - 30W 1930-1990 MHz RF Power MOSFET LDMOS | NXP
MRF18030BLSR3 ✓ সক্রিয়NXP Semiconductors
MRF18060BLSR3 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP
MRF18060BLSR3 ⚠ শেষ কিনার সময়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MRF18030BLSR3 | MRF18060BLSR3 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | শেষবার কেনার সুযোগ |
| Manufacturer | Analog Devices / NXP Semiconductors (formerly Freescale) | NXP Semiconductors (formerly Freescale/Motorola) |
| Part Number | MRF18030BLSR3 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) | Lateral N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| Technology | LDMOS, laterally diffused metal-oxide-semiconductor | — |
| Configuration | Single, common-source RF power transistor | Single N-channel |
| Operating Frequency Range | 1.8 GHz to 2 GHz (specified 1930-1990 MHz) | — |
| Target Application Band | GSM / GSM-EDGE / DCS-1900 / PCS-1900 | — |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 26 V typical operating | 26 V |
| Output Power (Pout) | 30 W (CW or pulsed, in-band) | 60 W CW |
| Power Gain | 14 dB typical at 2 GHz | — |
| Drain Efficiency | [DATA_NEEDED: typical drain efficiency %] | [DATA_NEEDED: drain efficiency percentage] |
| Maximum Power Dissipation (Abs) | 83.3 W | — |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain Current (Id) at test condition | 250 mA (quiescent / small-signal reference) | — |
| প্যাকেজ | NI-400S (CASE 465E-04, Style 1), ceramic surface mount | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Per NXP product page (verify with current data) | — |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature range] | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: max junction temperature C] | — |
| Frequency Range | — | 1930 MHz to 1990 MHz (specified band), 1800-2000 MHz (operational) |
| Test Voltage (VDD) | — | 26 V |
| Power Gain (Gps) | — | 13 dB (typical) |
| Maximum Power Dissipation (Absolute) | — | 180 W |
| Maximum Drain Current | — | [DATA_NEEDED: maximum DC drain current] |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Storage Temperature Range | — | [DATA_NEEDED: storage temperature range] |
| প্যাকেজ / কেস | — | NI-780S (CASE 465-06, Style 1), ceramic surface-mount |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 C |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance] |