MRF18030BLSR3 vs MRF18060BLSR3 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF18030BLSR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF18060BLSR3 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRF18030BLSR3 MRF18030BLSR3 - 30W 1930-1990 MHz RF Power MOSFET LDMOS | NXP

MRF18030BLSR3 - 30W 1930-1990 MHz RF Power MOSFET LDMOS | NXP

MRF18030BLSR3 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF18060BLSR3 MRF18060BLSR3 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF18060BLSR3 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF18060BLSR3 ⚠ آخری بار خریداری

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRF18030BLSR3 MRF18060BLSR3
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال آخری بار خریداری
Manufacturer Analog Devices / NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale/Motorola)
Part Number MRF18030BLSR3 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) Lateral N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Technology LDMOS, laterally diffused metal-oxide-semiconductor —
Configuration Single, common-source RF power transistor Single N-channel
Operating Frequency Range 1.8 GHz to 2 GHz (specified 1930-1990 MHz) —
Target Application Band GSM / GSM-EDGE / DCS-1900 / PCS-1900 —
Drain-Source Voltage (VDSS) 26 V typical operating 26 V
Output Power (Pout) 30 W (CW or pulsed, in-band) 60 W CW
Power Gain 14 dB typical at 2 GHz —
Drain Efficiency [DATA_NEEDED: typical drain efficiency %] [DATA_NEEDED: drain efficiency percentage]
Maximum Power Dissipation (Abs) 83.3 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Drain Current (Id) at test condition 250 mA (quiescent / small-signal reference) —
پیکیج NI-400S (CASE 465E-04, Style 1), ceramic surface mount —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Per NXP product page (verify with current data) —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature range] —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت [DATA_NEEDED: max junction temperature C] —
Frequency Range — 1930 MHz to 1990 MHz (specified band), 1800-2000 MHz (operational)
Test Voltage (VDD) — 26 V
Power Gain (Gps) — 13 dB (typical)
Maximum Power Dissipation (Absolute) — 180 W
Maximum Drain Current — [DATA_NEEDED: maximum DC drain current]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
پیکیج / کیس — NI-780S (CASE 465-06, Style 1), ceramic surface-mount
Peak Reflow Temperature — 260 C
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس — [DATA_NEEDED: RoHS compliance]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں