MRF8HP21080HR5 vs MRF8S21100HR5 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRF8HP21080HR5 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRF8S21100HR5 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MRF8HP21080HR5 | MRF8S21100HR5 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | Obsolete | Obsolete |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | LDMOS, N-Channel, Dual (2 elements) | N-Channel RF Power MOSFET |
| Configuration | Common Source, 2 Elements | — |
| Frequency | 2.17 GHz (2110–2170 MHz cellular band) | — |
| Test Voltage | 28 V | — |
| Test Current | 150 mA | 700 mA |
| Power Gain | 14.4 dB at 2.17 GHz | 18.3 dB at 2.17 GHz |
| Output Power (Avg.) | 16 W (W-CDMA/LTE) | — |
| Drain-Source Voltage Rating | 65 V | — |
| প্যাকেজ / কেস | NI-780-4 (Case 465M) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Flange Mount / Chassis Mount | Surface Mount / Flange Mount |
| Number of Terminals | 4 | — |
| Technology | W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET | LDMOS (HV8 generation) |
| Surface Mount | No (flange mount) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 C (not applicable - flange mount) | — |
| Part Status (DigiKey) | Discontinued at Digi-Key | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS | — | 65 V |
| Test Voltage (Drain) | — | 28 V |
| Frequency of Operation | — | 2.17 GHz (max, typical 2110-2170 MHz) |
| Output Power (P1dB / pulsed) | — | 100 W |
| Output Power (typical application) | — | 24 W |
| প্যাকেজ | — | NI-780H-2L (Case 465-06), 2-pin ceramic flange |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | RoHS Compliant |
| Operating Class | — | Class AB, Class C |
| Application | — | W-CDMA, LTE cellular base station |