MRF8HP21080HR5 vs MRF8S21100HR5 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF8HP21080HR5 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF8S21100HR5 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRF8HP21080HR5 | MRF8S21100HR5 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | Obsolete | Obsolete |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | LDMOS, N-Channel, Dual (2 elements) | N-Channel RF Power MOSFET |
| Configuration | Common Source, 2 Elements | — |
| Frequency | 2.17 GHz (2110–2170 MHz cellular band) | — |
| Test Voltage | 28 V | — |
| Test Current | 150 mA | 700 mA |
| Power Gain | 14.4 dB at 2.17 GHz | 18.3 dB at 2.17 GHz |
| Output Power (Avg.) | 16 W (W-CDMA/LTE) | — |
| Drain-Source Voltage Rating | 65 V | — |
| پیکیج / کیس | NI-780-4 (Case 465M) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Flange Mount / Chassis Mount | Surface Mount / Flange Mount |
| Number of Terminals | 4 | — |
| Technology | W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET | LDMOS (HV8 generation) |
| Surface Mount | No (flange mount) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 C (not applicable - flange mount) | — |
| Part Status (DigiKey) | Discontinued at Digi-Key | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS | — | 65 V |
| Test Voltage (Drain) | — | 28 V |
| Frequency of Operation | — | 2.17 GHz (max, typical 2110-2170 MHz) |
| Output Power (P1dB / pulsed) | — | 100 W |
| Output Power (typical application) | — | 24 W |
| پیکیج | — | NI-780H-2L (Case 465-06), 2-pin ceramic flange |
| RoHS اسٹیٹس | — | RoHS Compliant |
| Operating Class | — | Class AB, Class C |
| Application | — | W-CDMA, LTE cellular base station |