MT40A512M16LY-062E-ATE vs K4A8G165WC-BCTD তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M16LY-062E-ATE নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4A8G165WC-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron
MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT40A512M16LY-062E-ATE | K4A8G165WC-BCTD |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| সংগঠন | 512M x 16 | 512M x16 |
| ডেটা রেট | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.333 GHz |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Supply Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) | 96FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40C to +105C (automotive) | 0C to +95C |
| Speed Grade | -062E (0.625 ns tCK) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes (DM) | Yes (x16 DM) |
| Refresh Mode | Auto self-refresh | — |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm-class process) |
| CRC Function | — | Yes (write CRC) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |