MT41K256M16HA-107AAT:E vs K4B4G1646D-BYH9 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT41K256M16HA-107AAT:E নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4B4G1646D-BYH9 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT41K256M16HA-107AAT:E | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | — |
| মেমরি সাইজ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| ডেটা রেট | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35V | 1.35 V |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (9x14mm) | 96FBGA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +95°C (Tc) | 0 ~ 85 °C |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS লেটেন্সি | 13 (typical) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |