MT41K256M16HA-107AAT:E vs K4B4G1646D-BYH9 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT41K256M16HA-107AAT:E מאת Micron Technology ו K4B4G1646D-BYH9 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MT41K256M16HA-107AAT:E | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | — |
| גודל זיכרון | 4Gbit (256M x 16) | — |
| קצב נתונים | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| מתח אספקה | 1.35V | 1.35 V |
| ממשק | Parallel | — |
| מארז | 96-FBGA (9x14mm) | 96FBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C (Tc) | 0 ~ 85 °C |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| השהיית CAS | 13 (typical) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |