MT41K256M16HA-107AAT:E vs K4B4G1646D-BYH9 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16HA-107AAT:E द्वारा Micron Technology और K4B4G1646D-BYH9 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16HA-107AAT:E | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | — |
| मेमोरी आकार | 4Gbit (256M x 16) | — |
| डेटा दर | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.35 V |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| पैकेज | 96-FBGA (9x14mm) | 96FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C (Tc) | 0 ~ 85 °C |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS लेटेंसी | 13 (typical) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |