MT41K256M16HA-107AAT:E vs K4B4G1646D-BYH9 Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci MT41K256M16HA-107AAT:E disebabkan oleh Micron Technology dan K4B4G1646D-BYH9 disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ AktifSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktifPengandingan Spesifikasi
| Parametr | MT41K256M16HA-107AAT:E | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Merek | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | — |
| Saiz Ingatan | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Kadar Data | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35V | 1.35 V |
| Antaramuka | Parallel | — |
| Kemasan | 96-FBGA (9x14mm) | 96FBGA |
| Suhu Operasi | 0°C to +95°C (Tc) | 0 ~ 85 °C |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latensi CAS | 13 (typical) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Boson Bebas | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |