MT41K256M16HA-107AAT:E vs K4B4G1646D-BYH9 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT41K256M16HA-107AAT:E توسط Micron Technology و K4B4G1646D-BYH9 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT41K256M16HA-107AAT:E | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | — |
| اندازه حافظه | 4Gbit (256M x 16) | — |
| نرخ داده | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V | 1.35 V |
| رابط | Parallel | — |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (9x14mm) | 96FBGA |
| دمای کاری | 0°C to +95°C (Tc) | 0 ~ 85 °C |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| تأخیر CAS | 13 (typical) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |