MT41K256M16HA-125:E vs K4B4G1646D-BCK00 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT41K256M16HA-125:E নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4B4G1646D-BCK00 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT41K256M16HA-125:E | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS লেটেন্সি | 13.75 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| পিনের সংখ্যা | 96 | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ডেটা বাস প্রস্থ | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| ডেটা রেট | — | 1600 Mbps/pin |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |