MT41K256M16HA-125:E vs K4B4G1646D-BCK00 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT41K256M16HA-125:E توسط Micron Technology و K4B4G1646D-BCK00 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT41K256M16HA-125:E | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| تأخیر CAS | 13.75 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| محدوده دمای کاری | 0°C to +95°C (TC) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| عرض گذرگاه داده | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| نرخ داده | — | 1600 Mbps/pin |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| دمای کاری | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| بدون هالوژن | — | Yes |